IAUA180N10S5N029AUMA1规格参数_iaua180n10s5n029auma1现货热销【斯普仑】

IAUA180N10S5N029AUMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：5-PowerSFN

描述：MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

8629 现货

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IAUA180N10S5N029AUMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IAUA180N10S5N029AUMA1
描述	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
制造商	Infineon Technologies
库存	8629
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	180A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.9 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7673 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	221W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-5-4
封装/外壳	5-PowerSFN

IAUA180N10S5N029AUMA1

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