欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

STP26N65DM2

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 650V 20A TO220

2261 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STP26N65DM2，现有足量库存。STP26N65DM2的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供STP26N65DM2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STP26N65DM2的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STP26N65DM2，现有足量库存。STP26N65DM2的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供STP26N65DM2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STP26N65DM2的详细使用方法及教程。

STP26N65DM2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STP26N65DM2
描述 MOSFET N-CH 650V 20A TO220
制造商 STMicroelectronics
库存 2261
系列 MDmesh™ DM2
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 190 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 35.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1480 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 170W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

猜您喜欢

STMicroelectronics

G15

STMicroelectronics

E3M0065090D

STMicroelectronics

C2M0080170P

STMicroelectronics

CPMF-1200-S160B

STMicroelectronics

CPMF-1200-S080B

STMicroelectronics

CPM2-1200-0160B

STMicroelectronics

CPM2-1200-0080B

STMicroelectronics

BUK7Y25-80E/GFX

STMicroelectronics

BUK7Y25-80E/CX

STMicroelectronics

PSMN7R6-60XSQ

STMicroelectronics

BUK761R5-40EJ

STMicroelectronics

PSMN8R5-108ESQ

STMicroelectronics

PSMN3R9-60XSQ

STMicroelectronics

BUK9C1R3-40EJ

STMicroelectronics

BUK951R8-40EQ

STMicroelectronics

PMT760EN,115

STMicroelectronics

PMT200EN,115

STMicroelectronics

BUK9C5R3-100EJ

STMicroelectronics

BUK9C3R8-80EJ

STMicroelectronics

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”