STF26N65DM2规格参数_stf26n65dm2现货热销【斯普仑】

STF26N65DM2

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP

1782 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STF26N65DM2，现有足量库存。STF26N65DM2的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供STF26N65DM2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STF26N65DM2的详细使用方法及教程。

STF26N65DM2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STF26N65DM2
描述	MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
制造商	STMicroelectronics
库存	1782
系列	MDmesh™ DM2
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	190 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	35.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1480 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	30W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220FP
封装/外壳	TO-220-3 整包

STF26N65DM2

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