NVMFWS0D4N04XMT1G规格参数_nvmfws0d4n04xmt1g现货热销【斯普仑】

NVMFWS0D4N04XMT1G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

3244 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVMFWS0D4N04XMT1G，现有足量库存。NVMFWS0D4N04XMT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供NVMFWS0D4N04XMT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVMFWS0D4N04XMT1G的详细使用方法及教程。

NVMFWS0D4N04XMT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVMFWS0D4N04XMT1G
描述	40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
制造商	onsemi
库存	3244
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	519A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.42 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 330µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	138 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8550 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	197W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN

NVMFWS0D4N04XMT1G

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