欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

NTMYS4D1N06CLTWG

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-1023，4-LFPAK

描述：MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4

5166 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMYS4D1N06CLTWG，现有足量库存。NTMYS4D1N06CLTWG的封装/规格参数为:SOT-1023，4-LFPAK；同时斯普仑现货为您提供NTMYS4D1N06CLTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMYS4D1N06CLTWG的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMYS4D1N06CLTWG，现有足量库存。NTMYS4D1N06CLTWG的封装/规格参数为:SOT-1023，4-LFPAK；同时斯普仑现货为您提供NTMYS4D1N06CLTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMYS4D1N06CLTWG的详细使用方法及教程。

NTMYS4D1N06CLTWG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTMYS4D1N06CLTWG
描述 MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
制造商 onsemi
库存 5166
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），79W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 LFPAK4（5x6）
封装/外壳 SOT-1023，4-LFPAK

猜您喜欢

onsemi

G15

onsemi

E3M0065090D

onsemi

C2M0080170P

onsemi

CPMF-1200-S160B

onsemi

CPMF-1200-S080B

onsemi

CPM2-1200-0160B

onsemi

CPM2-1200-0080B

onsemi

BUK7Y25-80E/GFX

onsemi

BUK7Y25-80E/CX

onsemi

PSMN7R6-60XSQ

onsemi

BUK761R5-40EJ

onsemi

PSMN8R5-108ESQ

onsemi

PSMN3R9-60XSQ

onsemi

BUK9C1R3-40EJ

onsemi

BUK951R8-40EQ

onsemi

PMT760EN,115

onsemi

PMT200EN,115

onsemi

BUK9C5R3-100EJ

onsemi

BUK9C3R8-80EJ

onsemi

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”