IPTG025N10NM5ATMA1规格参数_iptg025n10nm5atma1现货热销【斯普仑】

IPTG025N10NM5ATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：TRENCH >=100V PG-HSOG-8

3376 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPTG025N10NM5ATMA1，现有足量库存。IPTG025N10NM5ATMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IPTG025N10NM5ATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPTG025N10NM5ATMA1的详细使用方法及教程。

IPTG025N10NM5ATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPTG025N10NM5ATMA1
描述	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
制造商	Infineon Technologies
库存	3376
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	27A（Ta），206A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.5 毫欧 @ 150A 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.8V @ 158µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8800 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.8W（Ta），214W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOG-8-1
封装/外壳	8-PowerSFN

IPTG025N10NM5ATMA1

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