SIHG32N50D-E3规格参数_sihg32n50d-e3现货热销【斯普仑】

SIHG32N50D-E3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC

5530 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIHG32N50D-E3，现有足量库存。SIHG32N50D-E3的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供SIHG32N50D-E3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIHG32N50D-E3的详细使用方法及教程。

SIHG32N50D-E3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIHG32N50D-E3
描述	MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
制造商	Vishay Siliconix
库存	5530
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	150 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	96 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2550 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	390W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247AC
封装/外壳	TO-247-3

SIHG32N50D-E3

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