NTMTSC4D2N10GTXG规格参数_ntmtsc4d2n10gtxg现货热销【斯普仑】

NTMTSC4D2N10GTXG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC

2937 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMTSC4D2N10GTXG，现有足量库存。NTMTSC4D2N10GTXG的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供NTMTSC4D2N10GTXG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMTSC4D2N10GTXG的详细使用方法及教程。

NTMTSC4D2N10GTXG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMTSC4D2N10GTXG
描述	100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
制造商	onsemi
库存	2937
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Ta），178A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.2 毫欧 @ 88A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	159 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	10450 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.9W（Ta），267W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装	8-TDFNW（8.3x8.4）
封装/外壳	8-PowerTDFN

NTMTSC4D2N10GTXG

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