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NTMYS2D2N06CLTWG

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-1023，4-LFPAK

描述：MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4

5199 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMYS2D2N06CLTWG，现有足量库存。NTMYS2D2N06CLTWG的封装/规格参数为:SOT-1023，4-LFPAK；同时斯普仑现货为您提供NTMYS2D2N06CLTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMYS2D2N06CLTWG的详细使用方法及教程。

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NTMYS2D2N06CLTWG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTMYS2D2N06CLTWG
描述 MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
制造商 onsemi
库存 5199
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A（Ta），185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 69 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4850 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.9W（Ta），134W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 LFPAK4（5x6）
封装/外壳 SOT-1023，4-LFPAK

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