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STW35N65DM2

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 650V 32A TO247

9501 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STW35N65DM2，现有足量库存。STW35N65DM2的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供STW35N65DM2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STW35N65DM2的详细使用方法及教程。

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STW35N65DM2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STW35N65DM2
描述 MOSFET N-CH 650V 32A TO247
制造商 STMicroelectronics
库存 9501
系列 MDmesh™ DM2
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 110毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 56.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2540 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

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