IPT210N25NFDATMA1规格参数_ipt210n25nfdatma1现货热销【斯普仑】

IPT210N25NFDATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerSFN

描述：MV POWER MOS

2222 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPT210N25NFDATMA1，现有足量库存。IPT210N25NFDATMA1的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供IPT210N25NFDATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPT210N25NFDATMA1的详细使用方法及教程。

IPT210N25NFDATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPT210N25NFDATMA1
描述	MV POWER MOS
制造商	Infineon Technologies
库存	2222
系列	OptiMOS™ 3
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	69A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	21 毫欧 @ 69A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7000 pF @ 125 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	375W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HSOF-8-1
封装/外壳	8-PowerSFN

IPT210N25NFDATMA1

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