欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

IXFT88N30P-TRL

制造商：IXYS

封装外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

描述：MOSFET N-CH 300V 88A TO268

8369 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFT88N30P-TRL，现有足量库存。IXFT88N30P-TRL的封装/规格参数为:TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；同时斯普仑现货为您提供IXFT88N30P-TRL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFT88N30P-TRL的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFT88N30P-TRL，现有足量库存。IXFT88N30P-TRL的封装/规格参数为:TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；同时斯普仑现货为您提供IXFT88N30P-TRL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFT88N30P-TRL的详细使用方法及教程。

IXFT88N30P-TRL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFT88N30P-TRL
描述 MOSFET N-CH 300V 88A TO268
制造商 IXYS
库存 8369
系列 HiPerFET™, Polar
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 40 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 180 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6300 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 600W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-268
封装/外壳 TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

猜您喜欢

IXYS

G15

IXYS

E3M0065090D

IXYS

C2M0080170P

IXYS

CPMF-1200-S160B

IXYS

CPMF-1200-S080B

IXYS

CPM2-1200-0160B

IXYS

CPM2-1200-0080B

IXYS

BUK7Y25-80E/GFX

IXYS

BUK7Y25-80E/CX

IXYS

PSMN7R6-60XSQ

IXYS

BUK761R5-40EJ

IXYS

PSMN8R5-108ESQ

IXYS

PSMN3R9-60XSQ

IXYS

BUK9C1R3-40EJ

IXYS

BUK951R8-40EQ

IXYS

PMT760EN,115

IXYS

PMT200EN,115

IXYS

BUK9C5R3-100EJ

IXYS

BUK9C3R8-80EJ

IXYS

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”