IXTH2N150规格参数_ixth2n150现货热销【斯普仑】

制造商：IXYS

封装外壳：TO-247-3

描述：DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

1498 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTH2N150，现有足量库存。IXTH2N150的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供IXTH2N150数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTH2N150的详细使用方法及教程。

IXTH2N150产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IXTH2N150
描述	DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
制造商	IXYS
库存	1498
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	830 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	170W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247（IXTH）
封装/外壳	TO-247-3