欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Microchip Technology
封装外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
描述：MOSFET N-CH 1KV 4A D3PAK
斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的APT1003RSFLLG/TR，现有足量库存。APT1003RSFLLG/TR的封装/规格参数为:TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；同时斯普仑现货为您提供APT1003RSFLLG/TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT1003RSFLLG/TR的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的APT1003RSFLLG/TR，现有足量库存。APT1003RSFLLG/TR的封装/规格参数为:TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；同时斯普仑现货为您提供APT1003RSFLLG/TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT1003RSFLLG/TR的详细使用方法及教程。
| APT1003RSFLLG/TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | APT1003RSFLLG/TR |
| 描述 | MOSFET N-CH 1KV 4A D3PAK |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 库存 | 8510 |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 694 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 139W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D3PAK |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
_SOT226%20Pkg.jpg)
