欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：GeneSiC Semiconductor
封装外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
描述：TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GA10SICP12-263，现有足量库存。GA10SICP12-263的封装/规格参数为:TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA；同时斯普仑现货为您提供GA10SICP12-263数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GA10SICP12-263的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GA10SICP12-263，现有足量库存。GA10SICP12-263的封装/规格参数为:TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA；同时斯普仑现货为您提供GA10SICP12-263数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GA10SICP12-263的详细使用方法及教程。
| GA10SICP12-263产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | GA10SICP12-263 |
| 描述 | TRANS SJT 1200V 25A D2PAK |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 库存 | 8003 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | - |
| 技术 | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 10A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1403 pF @ 800 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 170W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
_SOT226%20Pkg.jpg)
