IXTH3N200P3HV规格参数_ixth3n200p3hv现货热销【斯普仑】

制造商：IXYS

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 2000V 3A TO247

4621 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTH3N200P3HV，现有足量库存。IXTH3N200P3HV的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供IXTH3N200P3HV数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTH3N200P3HV的详细使用方法及教程。

IXTH3N200P3HV产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IXTH3N200P3HV
描述	MOSFET N-CH 2000V 3A TO247
制造商	IXYS
库存	4621
系列	Polar P3™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1860 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	520W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247（IXTH）
封装/外壳	TO-247-3