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IXTF6N200P3

制造商：IXYS

封装外壳：ISOPLUSi5-Pak™

描述：MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC

6820 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTF6N200P3，现有足量库存。IXTF6N200P3的封装/规格参数为:ISOPLUSi5-Pak™；同时斯普仑现货为您提供IXTF6N200P3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTF6N200P3的详细使用方法及教程。

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IXTF6N200P3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXTF6N200P3
描述 MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
制造商 IXYS
库存 6820
系列 Polar P3™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 143 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3700 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 215W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC™
封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak™

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