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IXTB30N100L

制造商：IXYS

封装外壳：TO-264-3，TO-264AA

描述：MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

8220 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTB30N100L，现有足量库存。IXTB30N100L的封装/规格参数为:TO-264-3，TO-264AA；同时斯普仑现货为您提供IXTB30N100L数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTB30N100L的详细使用方法及教程。

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IXTB30N100L产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXTB30N100L
描述 MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
制造商 IXYS
库存 8220
系列 Linear
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 450 毫欧 @ 500mA，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 545 nC @ 20 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 13200 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PLUS264™
封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA

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