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IXFN30N120P

制造商：IXYS

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

9933 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFN30N120P，现有足量库存。IXFN30N120P的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供IXFN30N120P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFN30N120P的详细使用方法及教程。

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IXFN30N120P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFN30N120P
描述 MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
制造商 IXYS
库存 9933
系列 HiPerFET™, Polar
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 350 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 310 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 19000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 890W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC

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