欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

IXFN32N120P

制造商：IXYS

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

8370 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFN32N120P，现有足量库存。IXFN32N120P的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供IXFN32N120P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFN32N120P的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFN32N120P，现有足量库存。IXFN32N120P的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供IXFN32N120P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFN32N120P的详细使用方法及教程。

IXFN32N120P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFN32N120P
描述 MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
制造商 IXYS
库存 8370
系列 HiPerFET™, Polar
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 310 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 360 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 21000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1000W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC

猜您喜欢

IXYS

G15

IXYS

E3M0065090D

IXYS

C2M0080170P

IXYS

CPMF-1200-S160B

IXYS

CPMF-1200-S080B

IXYS

CPM2-1200-0160B

IXYS

CPM2-1200-0080B

IXYS

BUK7Y25-80E/GFX

IXYS

BUK7Y25-80E/CX

IXYS

PSMN7R6-60XSQ

IXYS

BUK761R5-40EJ

IXYS

PSMN8R5-108ESQ

IXYS

PSMN3R9-60XSQ

IXYS

BUK9C1R3-40EJ

IXYS

BUK951R8-40EQ

IXYS

PMT760EN,115

IXYS

PMT200EN,115

IXYS

BUK9C5R3-100EJ

IXYS

BUK9C3R8-80EJ

IXYS

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”