APT30M19JVFR规格参数_apt30m19jvfr现货热销【斯普仑】

APT30M19JVFR

制造商：Microchip Technology

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP

7212 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的APT30M19JVFR，现有足量库存。APT30M19JVFR的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供APT30M19JVFR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT30M19JVFR的详细使用方法及教程。

APT30M19JVFR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APT30M19JVFR
描述	MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
制造商	Microchip Technology
库存	7212
系列	POWER MOS V®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	19 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	975 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	21600 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	ISOTOP®
封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC

APT30M19JVFR

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