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IXTF1R4N450

制造商：IXYS

封装外壳：i4-Pac™-5（3 引线）

描述：MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC

7659 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTF1R4N450，现有足量库存。IXTF1R4N450的封装/规格参数为:i4-Pac™-5（3 引线）；同时斯普仑现货为您提供IXTF1R4N450数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTF1R4N450的详细使用方法及教程。

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IXTF1R4N450产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXTF1R4N450
描述 MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
制造商 IXYS
库存 7659
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 4500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 40 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 88 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3300 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC™
封装/外壳 i4-Pac™-5（3 引线）

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