APTM10DAM02G规格参数_aptm10dam02g现货热销【斯普仑】

APTM10DAM02G

制造商：Microchip Technology

封装外壳：SP6

描述：MOSFET N-CH 100V 495A SP6

7664 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的APTM10DAM02G，现有足量库存。APTM10DAM02G的封装/规格参数为:SP6；同时斯普仑现货为您提供APTM10DAM02G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APTM10DAM02G的详细使用方法及教程。

APTM10DAM02G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APTM10DAM02G
描述	MOSFET N-CH 100V 495A SP6
制造商	Microchip Technology
库存	7664
系列	-
包装	散装
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	495A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.5 毫欧 @ 200A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1360 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	40000 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1250W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	SP6
封装/外壳	SP6

APTM10DAM02G

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