GA50JT06-258规格参数_ga50jt06-258现货热销【斯普仑】

GA50JT06-258

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：TO-258-3，TO-258AA

描述：TRANS SJT 600V 100A TO258

4446 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GA50JT06-258，现有足量库存。GA50JT06-258的封装/规格参数为:TO-258-3，TO-258AA；同时斯普仑现货为您提供GA50JT06-258数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GA50JT06-258的详细使用方法及教程。

GA50JT06-258产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	GA50JT06-258
描述	TRANS SJT 600V 100A TO258
制造商	GeneSiC Semiconductor
库存	4446
系列	-
包装	散装
FET 类型	-
技术	SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	25 毫欧 @ 50A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	769W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 225°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-258
封装/外壳	TO-258-3，TO-258AA

GA50JT06-258

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