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CSD23203W

制造商：Texas Instruments

封装外壳：6-UFBGA，DSBGA

描述：MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

9751 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD23203W，现有足量库存。CSD23203W的封装/规格参数为:6-UFBGA，DSBGA；同时斯普仑现货为您提供CSD23203W数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD23203W的详细使用方法及教程。

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CSD23203W产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD23203W
描述 MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
制造商 Texas Instruments
库存 9751
系列 NexFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 19.4 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） -6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 914 pF @ 4 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 750mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-DSBGA（1x1.5）
封装/外壳 6-UFBGA，DSBGA

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