30N03A规格参数_30n03a现货热销【斯普仑】

30N03A

制造商：UTD Semiconductor

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：TO-252 MOSFETS ROHS

2178 现货

斯普仑电子元件现货为您提供UTD Semiconductor设计生产的30N03A，现有足量库存。30N03A的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供30N03A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有30N03A的详细使用方法及教程。

30N03A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	30N03A
描述	TO-252 MOSFETS ROHS
制造商	UTD Semiconductor
库存	2178
系列	UMW
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1963 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	105W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252（DPAK）
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

30N03A

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