YJQ55P02A规格参数_yjq55p02a现货热销【斯普仑】

YJQ55P02A

制造商：Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L

2796 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd设计生产的YJQ55P02A，现有足量库存。YJQ55P02A的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供YJQ55P02A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有YJQ55P02A的详细使用方法及教程。

YJQ55P02A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	YJQ55P02A
描述	P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
制造商	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
库存	2796
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	55A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.3 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6358 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），38W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

YJQ55P02A

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