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30N06

制造商：UTD Semiconductor

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@

9670 现货

斯普仑电子元件现货为您提供UTD Semiconductor设计生产的30N06，现有足量库存。30N06的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供30N06数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有30N06的详细使用方法及教程。

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30N06产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 30N06
描述 60V 25A 30MR@10V,15A 34.7W 2.5V@
制造商 UTD Semiconductor
库存 9670
系列 UMW
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 29 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 25 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1562 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 55W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252（DPAK）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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