YJQ40G10A规格参数_yjq40g10a现货热销【斯普仑】

YJQ40G10A

制造商：Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L-

6669 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd设计生产的YJQ40G10A，现有足量库存。YJQ40G10A的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供YJQ40G10A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有YJQ40G10A的详细使用方法及教程。

YJQ40G10A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	YJQ40G10A
描述	N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L-
制造商	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
库存	6669
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	18.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1051 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	43W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

YJQ40G10A

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