IRLMS1902TRPBF规格参数_irlms1902trpbf现货热销【斯普仑】

IRLMS1902TRPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：SOT-23-6

描述：MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6

6749 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLMS1902TRPBF，现有足量库存。IRLMS1902TRPBF的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供IRLMS1902TRPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLMS1902TRPBF的详细使用方法及教程。

IRLMS1902TRPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRLMS1902TRPBF
描述	MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
制造商	Infineon Technologies
库存	6749
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	100 毫欧 @ 2.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	300 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.7W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳	SOT-23-6

IRLMS1902TRPBF

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