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630AT

制造商：Goford Semiconductor

封装外壳：TO-220-3

描述：N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3

9801 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Goford Semiconductor设计生产的630AT，现有足量库存。630AT的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供630AT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有630AT的详细使用方法及教程。

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630AT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 630AT
描述 N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
制造商 Goford Semiconductor
库存 9801
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 250 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 11.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 509 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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