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制造商：Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：N-CH MOSFET 60V 200A TO-263
斯普仑电子元件现货为您提供Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd设计生产的YJB200G06B，现有足量库存。YJB200G06B的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供YJB200G06B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有YJB200G06B的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd设计生产的YJB200G06B，现有足量库存。YJB200G06B的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供YJB200G06B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有YJB200G06B的详细使用方法及教程。
| YJB200G06B产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | YJB200G06B |
| 描述 | N-CH MOSFET 60V 200A TO-263 |
| 制造商 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| 库存 | 6872 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | - |
| 技术 | - |
| 漏源电压（Vdss） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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