CSD18511KTT规格参数_csd18511ktt现货热销【斯普仑】

CSD18511KTT

制造商：Texas Instruments

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK

8571 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD18511KTT，现有足量库存。CSD18511KTT的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供CSD18511KTT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD18511KTT的详细使用方法及教程。

CSD18511KTT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CSD18511KTT
描述	MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
制造商	Texas Instruments
库存	8571
系列	NexFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	194A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5940 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	188W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DDPAK/TO-263-3
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

CSD18511KTT

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心