EPC2302ENGRT规格参数_epc2302engrt现货热销【斯普仑】

制造商：EPC

封装外壳：7-PowerWQFN

描述：TRANS GAN 100V DIE .0019OHM

6899 现货

斯普仑电子元件现货为您提供EPC设计生产的EPC2302ENGRT，现有足量库存。EPC2302ENGRT的封装/规格参数为:7-PowerWQFN；同时斯普仑现货为您提供EPC2302ENGRT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有EPC2302ENGRT的详细使用方法及教程。

EPC2302ENGRT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	EPC2302ENGRT
描述	TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
制造商	EPC
库存	6899
系列	eGaN®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.8毫欧 @ 50A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 14mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3200 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	7-QFN（3x5）
封装/外壳	7-PowerWQFN