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制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：8-SMD，扁平引线
描述：MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPCF8102(TE85L,F,M，现有足量库存。TPCF8102(TE85L,F,M的封装/规格参数为:8-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供TPCF8102(TE85L,F,M数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPCF8102(TE85L,F,M的详细使用方法及教程。
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| TPCF8102(TE85L,F,M产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TPCF8102(TE85L,F,M |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6A VS-8 |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 6813 |
| 系列 | U-MOSIII |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1550 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | VS-8（2.9x1.5） |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
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