NTLJS1102PTBG规格参数_ntljs1102ptbg现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：6-WDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN

2530 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTLJS1102PTBG，现有足量库存。NTLJS1102PTBG的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供NTLJS1102PTBG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTLJS1102PTBG的详细使用方法及教程。

NTLJS1102PTBG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTLJS1102PTBG
描述	MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
制造商	onsemi
库存	2530
系列	µCool™
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	36 毫欧 @ 6.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	720mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1585 pF @ 4 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-WDFN（2x2）
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘