STI25NM60ND规格参数_sti25nm60nd现货热销【斯普仑】

STI25NM60ND

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

4377 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STI25NM60ND，现有足量库存。STI25NM60ND的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供STI25NM60ND数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STI25NM60ND的详细使用方法及教程。

STI25NM60ND产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STI25NM60ND
描述	MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
制造商	STMicroelectronics
库存	4377
系列	FDmesh™ II
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	160 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2400 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	160W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I2PAK
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

STI25NM60ND

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