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HTNFET-D

制造商：Honeywell Aerospace

封装外壳：8-CDIP 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 55V 8CDIP

2711 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Honeywell Aerospace设计生产的HTNFET-D，现有足量库存。HTNFET-D的封装/规格参数为:8-CDIP 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供HTNFET-D数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有HTNFET-D的详细使用方法及教程。

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HTNFET-D产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 HTNFET-D
描述 MOSFET N-CH 55V 8CDIP
制造商 Honeywell Aerospace
库存 2711
系列 HTMOS™
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 400 毫欧 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 4.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值） 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 290 pF @ 28 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tj）
工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 8-CDIP-EP
封装/外壳 8-CDIP 裸露焊盘

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