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NTLJD3182FZTBG

制造商：onsemi

封装外壳：6-WDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN

8027 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTLJD3182FZTBG，现有足量库存。NTLJD3182FZTBG的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供NTLJD3182FZTBG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTLJD3182FZTBG的详细使用方法及教程。

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NTLJD3182FZTBG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTLJD3182FZTBG
描述 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN
制造商 onsemi
库存 8027
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 450 pF @ 10 V
FET 功能 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值） 710mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-WDFN（2x2）
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘

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