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SIDC06D120H8X1SA2

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:模具

描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER

30707 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的SIDC06D120H8X1SA2,现有足量库存。SIDC06D120H8X1SA2的封装/规格参数为:模具;同时斯普仑现货为您提供SIDC06D120H8X1SA2数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SIDC06D120H8X1SA2的详细使用方法及教程。

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SIDC06D120H8X1SA2产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SIDC06D120H8X1SA2
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
制造商 Infineon Technologies
库存 30707
系列 -
包装 散装
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1200 V
电流 - 平均整流 (Io) 7.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.97 V @ 7.5 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 27 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 模具
供应商器件封装 带箔切割晶片
工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C

为智能时代加速到来而付出“真芯”