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RS1DLHRVG

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳:DO-219AB

描述:DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

49080 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的RS1DLHRVG,现有足量库存。RS1DLHRVG的封装/规格参数为:DO-219AB;同时斯普仑现货为您提供RS1DLHRVG数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有RS1DLHRVG的详细使用方法及教程。

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RS1DLHRVG产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 RS1DLHRVG
描述 DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 49080
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR)
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 200 V
电流 - 平均整流 (Io) 800mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.3 V @ 800 mA
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 150 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容 10pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DO-219AB
供应商器件封装 Sub SMA
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C

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